捷捷微电：拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件

证券之星消息，捷捷微电(300623)12月23日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

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投资者：董秘您好，请问贵司和中科院共同研发的三代半导体目前进展如何？相关报道中科院的碳化硅器件已在卫星上成功验证，请问贵司是否参与相关芯片的研发测试？
捷捷微电董秘：尊敬的投资者,您好!感谢您的关注。公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利6件，此外，公司还有8个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。谢谢!

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